wafer测试流程详解
每颗IC在后工序之前都必须进行CP（Chip Prober），以验证产品的功能是否正常，并挑出不良的产品和区分性能等级。CP主要设备包括测试机（Tester）和探针台（Prober）。
测试机
主要包括测试主机、测试板（DUT板）、测试软体、数据线、PC主机等。
操作：1. 确认DUT板、数据线连接正确
2、 打开电源，启动PC，进入测试软体
3、 打开测试程序
4、 打开测试主机电源，此时PC上会显示系统初始化。
探针卡
主要部件：真空泵、探针卡、显微镜、打点器、操作软件、8''至4''真空旋钮、托盘（Tray）、旋转手轮等。
测试前操作：
1、 确认真空泵和主机电源打开，打开软体初始化系统
2、 进入扫描模式，移动Tray到一个角落安装prober card。将prober card安装在探针台上，一端对齐固定架并固定好，整理好数据线，引出接在DUT板上，并注意对应好标号
3、 调整预置高度使之降低为0（防止上片时把prober和wafer刮坏）
4、 清洁工作盘，确认测试wafer size并调节真空旋钮，带好手套讲被测wafer放入tray正中央（先确认wafer缺口方向使IC pin与探针相对应），用真空使wafer吸附在tray上
5、 进片，调整预置高度（针压），边上升高度（探针卡固定，tray上升）边观察wafer离probercard的距离，调整到适当的距离时停止上升（wafer和prober距离不能太近以防wafer刮到prober），调节显微镜调到最清晰的视窗，然后把wafer的水平位置扫直
6、 填写测试数据，包括wafer size、X、Y步距、测试方法和测试map数据等等（注意X、Y的移动距离、多测的排列顺序应该与prober card的site的排列顺序一致）
7、 对针痕，微动模式移动wafer，使针尖对准die pad，慢慢调整预置高度（针压），直到可以在die pad上扎出针痕（注意针痕不能太重，高度只能一点一点增加，直至出现针痕马上停止），微动调整针痕的位置，使之一定扎在die pad的中心位置。如果是就得针卡可能会出现个别pad扎不出针痕或不明显，此时一定要查明原因，不能盲目加针压，看是否针尖偏了或短了
8、 在wafer周围扎一次针，观察针痕是否偏离，以确认水平是否扫直
9、 找到测试第一点位置，单步移动wafer使第一点位置与prober card第一site位置相对应
10、 测试开始。测试过程要注意观察是否连续不良或间隔不良，不良时要及时停止观察针痕位置。测试完成后对坏点重测，载入的数据一定是最后测完的数。
打点操作：
2、 打点器调整可以在wafer 上没有die的位置试打，使墨点的大小适中，然后单步移动到边圈有die的位置试打，墨点一定要打在die的中间位置，大小适中。调整玩抽，用无尘布加酒精把 wafer擦拭干净
3、 移动到第一点位置，载入数据开始打点。开始打点时立即停止并检查载入的数据和墨点是否正确，正确则继续打点，否则调整。打点时一定要用显微镜观察是否漏打或墨点是否变化。
4、 打点完成后在120℃烤箱内烤40min。
