7n60场效应管原理

原理场效应管7N60通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流。事实上，没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流很小。最常见的 FET 使用二氧化硅薄层作为 GATE 极下的绝缘体。这种类型的晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)。由于MOS管7N60更小、更节能，因此在许多应用中已取代双极型晶体管。