mdd1902场效应管参数

mdd1902 N沟道 100V 40A TO-252 MOSFET场效应管。漏源电压(Vdss) 100 漏极电流(Id) 40 漏源导通电阻(RDS On) 8.7 栅源电压(Vgs) ±20 配置类型 MOSFET场效应管 工作温度范围 -55～150。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。