cis芯片工藝流程

第一步 晶圓加工

所有半導體工藝都始於一粒沙子！因爲沙子所含的硅是生產晶圓所需要的原材料。晶圓是將硅(Si)或砷化鎵(GaAs)製成的單晶柱體切割形成的圓薄片。要提取高純度的硅材料需要用到硅砂，一種二氧化硅含量高達95%的特殊材料，也是製作晶圓的主要原材料。晶圓加工就是製作獲取上述晶圓的過程。

第二步 氧化

氧化過程的作用是在晶圓表面形成保護膜。它可以保護晶圓不受化學雜質影響、避免漏電流進入電路、預防離子植入過程中的擴散以及防止晶圓在刻蝕時滑脫。

第三步 光刻

光刻是通過光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，我們可以將其理解爲在晶圓表面繪製半導體制造所需的平面圖。電路圖案的精細度越高，成品芯片的集成度就越高，必須通過先進的光刻技術才能實現。具體來說，光刻可分爲塗覆光刻膠、曝光和顯影三個步驟。

第四步 刻蝕

在晶圓上完成電路圖的光刻後，就要用刻蝕工藝來去除任何多餘的氧化膜且只留下半導體電路圖。

第五步 薄膜沉積

爲了創建芯片內部的微型器件，我們需要不斷地沉積一層層的薄膜並通過刻蝕去除掉其中多餘的部分，另外還要添加一些材料將不同的器件分離開來。

第六步 · 互連

半導體的導電性處於導體與非導體（即絕緣體）之間，這種特性使我們能完全掌控電流。通過基於晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝可以構建出晶體管等元件，但還需要將它們連接起來才能實現電力與信號的發送與接收。

第七步 測試

測試的主要目標是檢驗半導體芯片的質量是否達到一定標準，從而消除不良產品、並提高芯片的可靠性。

第八步 · 封裝

經過之前幾個工藝處理的晶圓上會形成大小相等的方形芯片（又稱“單個晶片”）。下面要做的就是通過切割獲得單獨的芯片。剛切割下來的芯片很脆弱且不能交換電信號，需要單獨進行處理。這一處理過程就是封裝。