物理氣相沉積三要素

三要素：

1) 鍍料的氣化。

即使鍍料蒸發，昇華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。

2) 鍍料原子、分子或離子的遷移。

由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞後，產生多種反應。

3) 鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。

物理氣相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無污染，耗材少，成膜均勻緻密，與基體的結合力強。該技術廣泛應用於航空航天、電子、光學、機械、建築、輕工、冶金、材料等領域，可製備具有耐磨、耐腐蝕、裝飾、導電、絕緣、光導、壓電、磁性、潤滑、超導等特性的膜層。

物理氣相沉澱：

物理氣相沉積，簡稱PVD。該技術指在真空條件下，採用物理方法，將固體或液體材料源表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，並通過低壓氣體或等離子體，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。

PVD技術主要分爲三類，真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜，應用較廣的是離子鍍。目前，物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。