mdd1902場效電晶體引數

mdd1902 N溝道 100V 40A TO-252 MOSFET場效電晶體。漏源電壓(Vdss) 100 漏極電流(Id) 40 漏源導通電阻(RDS On) 8.7 柵源電壓(Vgs) ±20 配置型別 MOSFET場效電晶體 工作溫度範圍 -55～150。場效電晶體（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。