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8n60p是場效電晶體嗎

8n60p是場效電晶體嗎

8n60是N溝通場效電晶體,漏極電流, Id最大值:7.5A,電壓, Vds最大:600V,開態電阻, Rds(on):1.2oh,電壓, Vgs最高:30V

功耗:48W,工作溫度範圍:-55°C to +150°C,封裝:TO-220F,主要有兩種型別:結型場效電晶體和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體,它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。

8n60基本引數(1)電晶體極性:N(2)漏極電流, Id最大值:7.5A(3)電壓, Vds最大:600V(4)開態電阻, Rds(on):1.2ohm(5)電壓@ Rds測量:10V(6)電壓, Vgs最高:30V(7)功耗:48W(8)工作溫度範圍:-55°C to +150°C(9)封裝:TO-220F擴充套件資料:晶體三極體(以下簡稱三極體)按材料分有兩種:鍺管和矽管。

而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式,但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極體,其中,N是負極的意思代表英文中Negative,N型半導體在高純度矽中加入磷取代一些矽原子,在電壓刺激下產生自由電子導電。而P是正極的意思(Positive)是加入硼取代矽,產生大量空穴利於導電)。

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