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100n08场效应管参数
2024-04-01
100n08场效应管的参数具体如下:Vgs(±V):25VTH(V):2.5-3.5ID(A):100BVdss(V):80。RDS(on)=7.5mΩ(typ)VGS=10V封装形式:TO-220/TO-263。 100n08场效应管作为一款N沟道沟槽工艺MOS管,以其100A、80V的特性,飞虹电子更推荐用于60V/12...
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