导通的精选

电容是直流不导通，交流导通。滤波电容是指安装在整流电路两端用以降低交流脉动波纹系数提升高效平滑直流输出的一种储能器件。由于滤波电路要求储能电容有较大电容量。所以，绝大多数滤波电路使用电解电容。电解电容由于...

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗...

二极管具有单向导电性，一只理想的二极管加正向的偏压时导通，电阻为0反向偏压时截止，电阻无穷大但实际的二极管不是理想二极管，需要一个二极管“开启”的最小电压才会导通，一般的硅二极管这个电压为0.7v。二极管导通时两端...

三极管导通，要满足以下两个条件。1、发射结正偏即发射结加正向电压，对pnp管，基极接负，发射极接正（锗管≥0.3v，硅管≥0.7v）。npn管正好相反，基极接正，发射极接负。2、集电结反偏即集电结加反向电压，pnp管，集电极接电源负极，发射极...

开启电压和导通电压是一个意思，锗三极管的导通电压是0.3V左右，超过这个电压三极管导通，硅三极管的导通电压是0.6V左右，超过这个电压三极管导通。...

使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC...

硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。若使用万用表电压档测量二极管的正向导通压降为0V，有可能该二极管已击穿，或者该二极管后端完全...

NPN，明显的是低电平有效，即0V如果有S/S端子，把该端子接+24V，那样输入点才是低电平导通，如果把该端子接0V，那么输入点就是高电平有效，一般情况下都是0V的输入信号，COM与此0V内部已经相连了，你的问题有点不明白，+24V没有COM点，而0V...

要知道三极管的导通与截止条件，必须搞请楚三极管的结构，三极管的寻通条件是基极必须正偏，也就是说基极电压必须正于发射极电压，也就是Ub﹥Ue，而要使三极管处于截止状态则必须反偏，也就是基极电压必须小于或等于发射极电压，即Ub...

是的导电滑环只是负责360°旋转导通的设备，每接通一条导线，都可以看做是一条完整的线路，没有正负极之分。...

压敏电阻是在电路中防止过高的浪涌尖峰电压的侵入，从而造成电路损坏的一种有效器件。正常情况下，压敏电阻处于截止高阻状态。若用通常仪表测试时发现压敏电阻已经导通，则说明该压敏电阻已经损坏，不能使用了。...

饱和导通的条件是B高于E0.7V。8050是NPN型管，所以要Vb&gtVe才能导通，而且因为这三极管是硅管，所以两点电位相差要在0.7V以上才会导通。饱和状态的定义是集电极电流不能随着基极电流的增大而增大了，就是三极管进入饱和状态...

三极管的基极是整个三极管的控制极，通过三极管集电结的电流会受到基极电流的控制，当三极管的基极悬空以后，此时基极的电流为零，因此集电极的电流也为零，这时三极管称为截止状态，处于截止状态的三极管是不会导通的，流过三极管...

导通内阻为1kb左右。IGBT耐压值是IGBT里面反向二极管的参数，导通内阻只与半导体材料的本身属性有关。欧姆内阻主要是指由电极材料、电解液、隔膜电阻及各部分零件的接触电阻组成，与电池的尺寸、结构、装配等有关。电流...

在未加滤波电容之前，整流电路中的二极管导通角θ为π。加滤波电容后，只有当电容充电时，二极管才导通，因此，每只二极管的导通角均小于π。因为电容有储能作用，电容两端电压不会突变，二极管负极电压变高了，二极管的导通时间相对...

三相电机的三相绕组是导通的。比如3KW以下的小功率电机、采用星形接法、U、V、W是通过U2、Ⅴ2、w2封的星点导通的。大功率电机的三相绕组U1、接上排左、V|接上排中、W|接上排右、W2接下排左、Uz接下排中、Vz接下排右...

不是导通的，变频器进电端就是RST三相，在断电的情况下测量这三个端子，他必然是不导通的。因为变频器的RST进去就是三相二极管整流桥，不存在直接是导通的状态的。如果输入端是导通状态的话，就是输入电源有问题，或变频器坏了，以...

不是导通的。基极b与集电极c之间是一个pN结，有正反向电阻。基极b与发射极e之间也是一个pN结，有正反向电阻。正向电阻大约几百欧至2k欧之间，反向电阻几百k。如果没有正反向电阻，而是导通的，则三极管已击穿损坏。只有基极b加...

不同的IGBT导通压降都不一样，例如低损耗的大于典型值为1.7~2.1V左右，快速型导通压降大约2.7~3.7V左右。ⅠGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE(th)时，IGBT就可以导通当...

正向压降和导通电压的区别是：1，正向电压的大小不同。正向压降的电压小于导通电压。2，施加在PN结上电压的性质不同。这是不同的两个概念。正向压降是指二极管已经导通，内部有电流的时候，正向的电压值，硅管大约0.7V，二极管两端...

导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。2）[t1-t2]区间，GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道...

不同的IGBT导通压降都不一样，例如低损耗的大于典型值为1.7~2.1V左右，快速型导通压降大约2.7~3.7V左右。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右...

二极管正向导通的条件是：给与正向电压，并且大于二极管的导通电压!0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变。二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。加上的正向电压必须大于...

pnp三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例，当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化。&nbsp&nbsp&nbsp导通就是指三...

答一般来说场效应管栅极去掉后依然导通。是因为场效应管的栅极存在一个平板寄生电容，当场效应管的棚极去掉，电路断开，栅极平板寄生电容电极储存大量的正负电荷，去掉栅极，电容无法放电，造成栅极的电压还维持在5V，所以场效应管...