电导调制效应原理

当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。

更准确的定义下： Webster效应也称为 基区电导调制效应，这是BJT在大工作电流时、基区电导发生增大的一种现象。

因为半导体内部各点总是要保持电中性，所以，在发射结正偏、向基区注入少子的同时，也必将有相同数量、相同浓度梯度的多子在基区中积累起来当注入的少子浓度很大（大注入）、接近掺杂浓度时，则额外积累起来的多子浓度也就与掺杂浓度相当了，这时，基区的电导率实际上就决定于基区掺杂浓度和额外增加的多子浓度的总和（换句话说，大注入的结果就相当于增加了基区掺杂浓度），从而基区的有效电导率大大增加了（注入越大，有效电阻率降低得越多），这就是基区电导调制效应（也称为Webster效应）