euv工艺和普通的工艺差别

1、制程范围不同

普通工艺：基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。

euv工艺：能满足10nm以下的晶圆权制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。

2、发光原理不同

普通工艺：光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。

euv工艺：激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。

3、光路系统不同

普通工艺：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。

euv工艺：利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。