内存存储时间的单位是

是纳秒，用ns表示。

扩展资料。存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”，是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为“取数时间TA”。两次独立的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns～10ns。