砷化镓氮化镓氧化镓有什么区别 瑞丽范 心理 2.21W 大中小设置文字大小 砷化镓是第二代半导体,氮化镓是第三代半导体材料,氮化镓的温度和频率特性都优于砷化镓。 氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高,因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益,并且由于器件尺寸的减少,还可提高效率。氧化镓是一种无机化合物,化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓,是一种宽禁带半导体 TAG标签:氧化 砷化镓 氮化 #