flashdb存儲原理講解

flashdb存儲原理是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵 在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹着一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇控制柵。數據取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。