euv工藝和普通的工藝差別

1、製程範圍不同

普通工藝：基本上只能做到25nm，Intel憑藉雙工作臺的模式做到了10nm，卻無法達到10nm以下。

euv工藝：能滿足10nm以下的晶圓權制造，並且還可以向5nm、3nm繼續延伸。

2、發光原理不同

普通工藝：光源爲準分子激光，光源的波長能達到193納米。

euv工藝：激光激發等離子來發射EUV光子，光源的波長則爲13.5納米。

3、光路系統不同

普通工藝：主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm。

euv工藝：利用的光的反射原理，內部必須爲真空操作。