內存存儲時間的單位是

是納秒，用ns表示。

擴展資料。存儲器的兩個基本操作爲“讀出”與“寫入”，是指將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端爲止的時間間隔，稱爲“取數時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱爲“存儲週期TMC”。半導體存儲器的存取週期一般爲6ns～10ns。