記憶體儲存時間的單位是

是奈秒，用ns表示。

擴充套件資料。儲存器的兩個基本操作為“讀出”與“寫入”，是指將儲存單元與儲存暫存器(MDR)之間進行讀寫。儲存器從接收讀出命令到被讀出資訊穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為“取數時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為“儲存週期TMC”。半導體儲存器的存取週期一般為6ns～10ns。