iqoo氮化镓和普通的对比

材质不一样是所有不同的根本。

传统的普通充电器，它的基础材料是硅，硅也是电子行业内非常重要的材料。但随着硅的极限逐步逼近，硅的开发也到了一定的瓶颈，许多厂商开始努力寻找更合适的替代品。

加之随着快充功率的增大，快充头体积也就更大，携带起来非常不方便一些大功率充电器长时间充电还容易引起充电头发热因此，寻找新型的代替材料就更加迫切。

氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀的散热性能也使内部原件排布可以更加精密，最终完美解决了充电速率和便携性的矛盾。很明显，氮化镓就是我们要寻找的代替材料。

了解了各自的材质特性，氮化镓充电器和普通充电器的区别也就不言而喻了，氮化镓充电器同功率下体积更小，且散热更优秀，轻松实现小体积大功率

氮化镓和普通充电器内部设计接近，十分规整。

充电器均采用PFC+ZVS反激电路架构，PFC升压控制器采用安森美NCP1623，ZVS反激控制器采用Dialog iW9802，搭配纳微氮化镓功率芯片NV6136A。

氮化镓器件由于其本身出色的开关特性，可以在同等功耗或者更低功耗的情况下提高充电器的开关频率，简而言之，氮化镓充电器充电速度更快，同时体积更小，携带更方便。