光刻工藝控制的要素有哪些

光刻工藝的三要素：

① 掩模版:主體為石英玻璃，透光性高，熱膨脹 係數小 ② 光刻膠:又稱光致抗蝕劑，採用適當的有選擇 性的光刻膠，使表面上得到所需的圖像. ③ 曝光機:用於曝光。

光刻（英語：photolithography）工藝是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這裏所説的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。