什麼是血崩增益效應

當一個半導體二極管加上足夠高的反向偏壓時，在耗盡層內運動的載流子就可能因碰撞電離效應而獲得雪崩倍增。

載流子在耗盡層中獲得的雪崩增益越大，雪崩倍增過程所需的時間越長。因而，雪崩倍增過程要受到“增益-帶寬積”的限制。在高雪崩增益情況下，這種限制可能成為影響雪崩光電二極管響應速度的主要因素之一。

半導體雪崩光電二極管

具有內部光電流增益的半導體光電子器件，又稱固態光電倍增管。它應用光生載流子在二極管耗盡層內的碰撞電離效應而獲得光電流的雪崩倍增。這種器件具有小型、靈敏、快速等優點，適用於以微弱光信號的探測和接收，在光纖通信、激光測距和其他光電轉換數據處理等系統中應用較廣。