半導體導通條件

導通條件是發射極加正偏電壓，集電極加反偏電壓。

對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾着一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱爲發射結。

當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。

接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以透過發射結的電流基本上是電子流。