浮栅晶体管储存电荷原理

工作原理是利用浮栅上存储的电荷量来改变MOS管的阈值电压，从而改变MOS管的外部特性。过程描述如下:当MOS管栅极加上较高的电压(20V左右)，源极接地，漏极浮空，然后会产生大量高能电子，由于电子密度大，有的电子到衬底和浮栅之间的二氧化硅层，由于选择栅有高电压，这些电子通过隧穿氧化层(Tunnel Oxide，PS:自己翻译，不一定准确)到达浮栅。

当移除外部电压，由于浮栅没有放电回路，所以电子会留在浮栅上。当浮栅带有电子，衬底表面感应的是正电荷，这样使得MOS管导通电压变高。 反之，当控制栅极接地，衬底加上较高电压，源、漏极开路，电子会从浮栅中“吸出”，MOS管导通电压变低。 浮栅中电荷量，影响到MOS管的导通电压，从而代表不同的存储信息。