浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体。
浸没式光刻机工作时并不是把晶圆完全浸没在水中,而只是在曝光区域与光刻机透镜之间充满水。
光刻机的镜头必须特殊设计,以保证水随着光刻机在晶圆表面做步进-扫描运动,没有泄露水中没有气泡和颗粒。在193nm波长下,水的折射率是1.44,可以实现NA大于1。
该技术的原理便是通过水的折射作用将光源波长变短,也就是将193nm光源折射为134nm光源,这样就能实现光刻机整体工艺的升级,达到最高可生产10nm级别芯片的能力。