光电效应暗电流的来源是什么

     暗电流是指器件在反偏压条件下，没有入射光时产生的反向直流电流。(它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流。)

    暗电流起因于热激励产生的电子空穴对，其中耗尽区内产生的热激励是主要的，其次是耗尽区边缘的少数电荷的热扩散，还有界面上产生的热激励。暗电流的产生需要一定的时间，势阱存在时间越长，暗电流也越大。为了减小暗电流，应尽量缩短信号电荷的存储与转移时间，暗电流限制了成象器件的灵敏度与动态范围。