ingaas纳米线光响应原理

ingaas纳米线光响应的原理:

检测预设光功率下硅纳米线传感器的输出电流值i获取硅纳米线传感器的光响应曲线，其中，光响应曲线的横坐标为预设光功率，光响应曲线的纵坐标所检测的所述硅纳米线传感器的输出电流

确定目标灵敏度值所对应的目标功率值基于光照强度值与光功率值之间的映射关系，调节光源的光照强度至所述目标功率值所对应的光照强度值。

获取硅纳米线传感器的光响应曲线包括：

基于输出电流值和预设光功率绘制散点图，其中，散点图的横坐标为预设光功率，散点图的纵坐标为所检测的硅纳米线传感器的输出电流对散点图进行拟合，获取硅纳米线传感器的光响应曲线。 

InGaAs探测器的工作原理简单的说就是一个光（电）导体，其中红外灵敏材料是量子阱结构，吸收光子后产生的电子跃迁发生在量子阱内的字能带之间，此能带间隔的能量差是对应于红外光子波段。

这类器件作为探测器必须外加电场，在外加电场的作用下，它像一个光电导器件。

光照将载流子从阱内基态激发跃迁到第一激发态或连续态，光生载流子被电场扫出量子阱，对于n型InGaAs量子阱，吸收是偏振敏感的，只有入射光的分量具有垂直于量子阱平面的电场矢量，这是光才被吸收，进而起到探测器的作用！